FCD5N60TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 手机充电器、 游戏机、 电子签到系统、 电子按摩器、 电子胎心监测仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FCD5N60TM
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 显卡、 热水器、 遥控器、 摄像头、 电子气压计、 交换机、 OLED显示屏、 电子血压计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NTR5103NT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23 |
| FDMA530PZ | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.8A RDS(ON)=35mΩ@10V WDFN6_2X2MM_EP |
| FDA18N50 | 通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN |
| NDS351AN | MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3 |
| NDS0610 | 表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3 |
| FDS4435BZ | MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A |
| FCH072N60F | 通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3 |
| NTA4001NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| NTF3055-100T1G | MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223 |
| NDFP03N150CG | MOS管 N-Channel VDS=1.5KV VGS=±20V ID=2.5A RDS(ON)=10.5Ω@10V TO220F |
