FDD8896是品牌ON安森美,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 交换机、 集成电路板、 智能家居控制器、 电子厨房计时器、 现场可编程门阵列(FPGA) ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:FDD8896
- 品牌:安森美(ON)
- 分类:MOSFETs
- 参数:MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 笔记本电脑、 遥控器、 交换机、 不间断电源(UPS)、 智能照明系统、 投影仪、 指纹识别器、 血糖仪 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| BSS84 | SOT23-3 360mW |
| NDS0610 | 表面贴装型 P 通道 60 V 120mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3 |
| FDN360P | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3 |
| FDMC6686P | 表面贴装型 P 通道 20 V 18A(Ta),56A(Tc) 2.3W(Ta),40W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
| FDD120AN15A0 | 表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A(Ta),14A(Tc) 65W(Tc) TO-252AA |
| FQT1N60CTF-WS | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223 |
| NTA4151PT1G | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):760mA 功率(Pd):301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):450mV@250uA |
| NTJD4001NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363 |
| FDT458P | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223 |
| NTK3134NT1G | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):890mA 功率(Pd):310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA |