FDMS86163P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子门锁、 摩托车、 智能家居控制系统、 指纹识别器、 不间断电源（UPS） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FDMS86163P
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烟雾报警器、 电子签到系统、 耳机、 摩托车、 万用表、 调制解调器、 功放设备、 气体报警器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FDV302P | MOS管 P-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=120mA RDS(ON)=10Ω@4.5V SOT23 |
| NTMFS5C430NLT1G | MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM |
| NTS4001NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70 |
| FDD8424H | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4 |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| NTK3043NT1G | MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA |
| NTF3055-100T1G | MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223 |
| FDN357N | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3 |
| NTZD3154NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563 |
| FDS6690A | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL |
