FDMS86252是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子门锁、 模拟信号处理器（ASP）、 吸尘器、 网络适配器、 路由器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FDMS86252
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 血糖仪、 电子加湿器、 数码相机、 复印机、 USB闪存盘、 电子广告牌、 电子驱蚊器、 RFID读写器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FCH072N60F | 通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3 |
| FQU13N10LTU | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251 |
| FDN335N | N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3 |
| FDN5618P | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.25A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3 |
| FQB30N06LTM | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=35Ω@10V TO263 |
| FQA24N60 | 通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN |
| FCD5N60TM | 表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA |
| NTA4001NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| FDD8896 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252 |
| NTD6416ANLT4G | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=19A RDS(ON)=74mΩ@10V TO252 |
