FQD2N60CTM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能插座、 耳机、 GPS定位器、 智能手表、 摄像机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FQD2N60CTM
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电饭煲、 频谱分析仪、 计算机、 电子书阅读器、 电子美容仪、 3D打印机、 固态硬盘、 电子签到系统 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FDT458P | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223 |
| FDN337N | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=2.2A VGS=±8V SOT23 |
| FQA11N90C-F109 | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN |
| FDN342P | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3 |
| NTA4001NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| BSS84 | SOT23-3 360mW |
| FDN5618P | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.25A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3 |
| NTMFS5C612NLT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM |
| FQA9N90C | 通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P |
| NTJD4001NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363 |
