GS1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 心电图仪、 门禁系统、 单片机、 移动硬盘、 平板电脑 ，二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：GS1M
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：二极管
- 参数：封装：SMAG/DO-214AC 参数：PD=400W，VRM=33V，VBR=36.7～40.6V，VC=53.3V
应用场景
二极管可应用场景，如 视频线材、 红外感应器、 电子体温计探头、 MP3播放器、 路由器、 电子按摩器、 调制解调器、 手机充电器 等，想要了解更多二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| S3MC | 封装:SMC(DO-214AB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A |
| SMF26CA | 封装：SOD-123FL 参数：PD=200W，VRM=40V，VBR=44.4～49.1V，VC=64.5V |
| SB10100L | 肖特基二极管 VR=100V IF=10A VF=0.78V IR=300uA |
| SS56B | VR=60V IF=5A VF=0.70V IR=500uA |
| SS36B | 封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):700mV@3A 直流反向耐压(Vr):60V 整流电流:3A |
| SS36 | 封装：SMA/DO-214AC 参数：VR=600V IF=1A VF=1.3V IR=10uA trr=250nS |
| ST36F | 封装：SMAF 参数：VR=100V IF=3A VF=0.6V IR=0.1mA |
| ES3DB | 封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A |
| DB107S | 封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS |
| BZT52C5V6S | PD=200mW，VF=0.9V，VZ=5.6V 消费电子/PC/工控/通讯/汽车/智能控制 |
