KND3308A是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子驱蚊器、 电磁炉、 逆变器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 机械硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：KND3308A
- 品牌：可易亚(KIA)
- 分类：MOSFETs
- 参数：80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 专用集成电路（ASIC）、 音频功率放大器、 安防监控系统、 光纤连接器、 摄像头、 扫地机器人、 电磁炉、 手机充电器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| KIA50N03BD | 50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3 |
| KIA840SB | N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3 |
| KIA3400 | 4.8A，30V N-沟道 MOSFET |
| KND3306B | 60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
| KNB2710A | 100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS |
| KNH9130A | N沟道 漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W |
| KIA6035AD | 11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3 |
| KIA3510AD | 75A，100V N-沟道 MOSFET |
| KIA50N06BD | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V |
| KND3508A | 80V 70A 12mΩ@10V,35A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
