NCE30H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 摄像机、 功放器、 电子门禁卡、 可编程逻辑控制器（PLC）、 电子灭蚊灯 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30H12
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 机械硬盘、 电子加湿器、 蓝牙音箱、 模拟信号处理器（ASP）、 智能门锁、 摄像头、 电子灭蚊灯、 电子湿度计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
| NCE6075K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCE3400X | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3 |
| NCEP85T16 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCEP60T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE60H15A | N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L |
