NCE6003M是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子厨房计时器、 B超机、 电视机、 GPS定位器、 可编程逻辑控制器（PLC） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE6003M
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 功放器、 智能照明系统、 MP3播放器、 不间断电源（UPS）、 复印机、 汽车、 电子灭蚊灯、 投影仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE4060K | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE0130KA | TO252 SMT 100V 30A |
| NCE60P25K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
