NCE60P04R是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子阅读器、 数字信号处理器（DSP）、 电子签到系统、 整流器、 显卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P04R
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子门禁卡、 电子门锁、 视频线材、 内存条、 示波器、 功放器、 扫地机器人、 交流电源 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP60T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE8295AK | MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE7190A | N沟道 漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L |
| NCE2309 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
