NCEP01T18是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 心电图仪、 电子罗盘、 电视机、 电子加湿器、 电子净水器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP01T18
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 微处理器、 网络适配器、 饮水机、 调制解调器、 智能手表、 智能家居控制系统、 遥控器、 交换机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCE7560K | N沟道 漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W |
| NCE3400X | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3 |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCE0130KA | TO252 SMT 100V 30A |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
