NCEP026N10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 路由器、 网络适配器、 CT扫描仪、 电子温度计、 心电图仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP026N10
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、 电子助听器、 电子美容仪、 智能安防摄像头、 直流电源、 洗衣机、 打印机、 红外感应器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE4080 | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE30ND09S | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE60H15A | N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
