NTGS3443T1G是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电饭煲、 光纤连接器、 游戏机、 智能手机、 电磁炉 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NTGS3443T1G
- 品牌：微碧(VBsemi)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 智能门锁、 人脸识别设备、 整流器、 电子净水器、 实验室离心机、 汽车、 电动自行车充电器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| IRLML2402TRPBF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23 |
| AO4816 | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| APM2701ACC-TRG | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A RDS(ON)=30mΩ,79mΩ@4.5V SOT23-6 |
| AO4800 | MOS管 双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| FDN5630-NL-VB | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23 |
| ZXMN6A11DN8TA-VB | MOSFETs 双N沟道 耐压:60V 电流:7A SO-8 |
| 2SK3669-VB | MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:18A TO-252 |
| TPC8204-VB | 场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8 |
| FDS4935BZ-NL&38-VB | MOSFETs 2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A SO-8 |
| AO3401-VB | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:5.4A SOT-23 |
