NVD5117PLT4G-VF01是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、 电子计算器、 人脸识别设备、 电子游戏机手柄、 数码相机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NVD5117PLT4G-VF01
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电动车充电器、 话筒（麦克风）、 电子厨房计时器、 电子罗盘、 固态硬盘、 红外感应器、 电子咖啡机、 信号发生器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FDN337N | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=2.2A VGS=±8V SOT23 |
| NTR4003NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT23 |
| FDMS6681Z | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP |
| FQPF4N90C | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F |
| 2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3 |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| BSS84LT1G | SOT23 225mW |
| NTD6414ANT4G | MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ |
| FDC6420C | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6 |
| FDV303N | 表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3 |
