PMDPB85UPE,115是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 固态硬盘、 X光机、 台式电脑主机、 人脸识别设备、 电饭煲 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：PMDPB85UPE,115
- 品牌：安世(Nexperia)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 Dual P-channel Id=3.7A VDS=20V DFN2020-6
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 触摸屏、 安防摄像头、 电子灭蚊灯、 计算机、 微处理器、 音响系统、 功放设备、 电子血压计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| PSMN8R2-80YS,115 | MOS管 N-channel Id=82A VDS=80V SOT669 |
| PHP18NQ10T,127 | MOSFETs 100V 79W DIP TO220AB 18A N-Channel |
| PSMN130-200D,118 | MOS管 N-channel Id=20A VDS=200V SOT428 |
| PSMN4R8-100BSEJ | MOSFETs N-channel Id=120A VDS=100V SOT404 |
| BUK7608-55A,118 | MOS管 N-Channel Id=75A VDS=55V SOT404 |
| PMZ600UNELYL | MOS管 N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1006-3 |
| PMF250XNEX | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
| BUK6D210-60EX | MOS管 N-Channel Id=5.7A VDS=60V DFN2020MD‑6 |
| BSS84AK,215 | SOT23 0.35W |
| PHB29N08T,118 | MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±30V ID=27A RDS(ON)=50mΩ@11V TO263 |
