SI1967DH-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 实验室离心机、 RFID读写器、 电子美容仪、 智能照明系统、 USB闪存盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI1967DH-T1-GE3
- 品牌：微碧(VBsemi)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 功放设备、 不间断电源（UPS）、 交流电源、 摄像头、 智能音箱、 电子阅读器、 电子胎心监测仪、 电动自行车充电器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| MDS1521URH | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| STM4973 | MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| SSM3K333R | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23 |
| XP152A12C0MR | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23 |
| FDD13AN06A0-VB | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:60A TO-252 |
| FDD13AN06A0 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=13mΩ@4.5V TO252 |
| AP2310N | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23 |
| STS12NF30L-VB | MOSFETs N沟道 耐压:30V SOP-8 |
| FDS6575-VB | MOSFETs P沟道 耐压:20V 电流:13A SO-8 |
| SM2307PSAC-TRG-VB | MOSFETs P沟道 耐压:30V SOT-23 |
