SI2301DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 模拟信号处理器（ASP）、 智能家居控制系统、 信号发生器、 电子咖啡机、 无人机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI2301DS-T1-GE3
- 品牌：微碧(VBsemi)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子美容仪、 LED照明灯、 手机充电器、 气体报警器、 蓝牙音箱、 电子体温计探头、 电子脱毛器、 音响设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| VBM2625 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB |
| 2SJ355 | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89 |
| RYU002N05T306-VB | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:300mA SC-70-3 |
| AO3414 | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23 |
| SI7465DP-T1-E3-VB | MOSFETs P沟道 耐压:60V 电流:36A DFN8_5X6MM_EP |
| WPM2015-3/TR | MOSFETs P沟道 耐压:20V 电流:5A SOT-23 |
| AO4816 | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| VBI1322 | MOS管 N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89 |
| 2SK3669-VB | MOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:18A TO-252 |
| SI4866DY-T1-E3-VB | MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:18A SOP-8 |
