SI2305DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 蓝牙耳机、 电动自行车充电器、 信号发生器、 智能手机、 扬声器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI2305DS-T1-GE3-VB
- 品牌：微碧(VBsemi)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能手环、 摄像机、 投影仪、 移动硬盘、 网络适配器、 人脸识别设备、 逻辑分析仪、 视频线材 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| RYU002N05T306-VB | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:300mA SC-70-3 |
| VBJ2102M | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=200mΩ@10V SOT223 |
| VBI1101M | MOS管 N-channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.2A RDS(ON)=125mΩ@4.5V SOT89 |
| SI4435DY-T1-E3 | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8 |
| RFD16N05LSM9A-VB | MOSFETs N沟道 耐压:60V 电流:35A TO-252 |
| VBM2625 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO220AB |
| RU30L30M | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP |
| VB2103K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.5A RDS(ON)=500mΩ@10V SOT23 |
| BUK765R2-40B-VB | MOSFETs N沟道 耐压:40V 电流:100A TO-263 |
| IRF3710PBF | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A RDS(ON)=17mΩ@10V TO220AB |
