Name: SI7113DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7113DN-T1-GE3 型号参数

SI7113DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED照明灯、饮水机、虚拟现实头盔、变压器、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如显示器、电子琴、调音台、电动自行车、智能手环、空调、电子血压计袖带、逆变器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
SI3443CDV-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
SIHG20N50C-E3	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=20A RDS(ON)=225mΩ@10V TO247AC
IRF610PBF	通孔 N 通道 200 V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL