Name: SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如心电图仪、游戏机、录像机、电子秤、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 DVD播放器、电子计算器、电子词典、 LED显示器、人脸识别设备、录像机、现场可编程门阵列（FPGA）、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI3456DDV-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP