SIDR622DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 调制解调器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 电子翻译器、 内存条、 电子脱毛器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SIDR622DP-T1-GE3
- 品牌：威世(Vishay)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 频谱分析仪、 音频信号处理器、 计算机、 智能家居控制器、 模拟信号处理器（ASP）、 电子烤箱温度计、 电磁炉、 音响设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SUM110P06-08L-E3 | 表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak） |
| IRF840BPBF | 通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB |
| SIS443DN-T1-GE3 | MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V |
| SI2312BDS-T1-GE3 | MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3 |
| SI2324DS-T1-GE3 | 表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236） |
| SI9407BDY-T1-GE3 | MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL |
| SQ2309ES-T1_GE3 | 表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236） |
| SI9933CDY-T1-GE3 | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| SI2302DDS-T1-GE3 | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3 |
| IRF9610PBF | MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W |
