Name: SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIE808DF-T1-E3 型号参数

SIE808DF-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、汽车电子控制系统、摄像头、音频信号处理器、电子加湿器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 3D打印机、汽车、电动工具、电子阅读器、投影仪、微处理器、电子秤、 X光机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
SIA517DJ-T1-GE3	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=29mΩ,61mΩ@4.5V
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8