Name: SIHG30N60E-GE3_Vishay_威世_TO247AC-3_MOSFETs
Brand: Vishay

SIHG30N60E-GE3 型号参数

SIHG30N60E-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子气压计、音响设备、烟雾报警器、光纤连接器、电动车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、智能音箱、数码相机、整流器、电子秤、电子榨汁机、无人机、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SUM110P06-07L-E3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=110A RDS(ON)=6.9mΩ@10V TO263
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
IRFR014TRLPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
IRFRC20PBF	表面贴装型 N 通道 600 V 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
IRFL210TRPBF	表面贴装型 N 通道 200 V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V