VBE1101M是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 虚拟现实头盔、 电路板、 3D打印机、 电子脱毛器、 功放器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：VBE1101M
- 品牌：微碧(VBsemi)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 冰箱、 摄像机、 扬声器、 蓝牙音箱、 OLED显示屏、 MP4播放器、 吸尘器、 手机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| IRLR7843TRPBF | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35.8A RDS(ON)=3mΩ@4.5V TO252AA |
| SI7483ADP-T1-GE3-VB | MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:120A DFN8_5X6MM_EP |
| SI2302CDS-T1-GE3 | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23 |
| AO4816 | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| AOB428-VB | MOSFETs TO-263 N沟道 100V 70A |
| SPD07N60S5-VB | MOSFETs N沟道 耐压:650V 电流:7A TO-252 |
| AP2305GN | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23 |
| SI2302DS-T1-GE3 | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23 |
| AO4404 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8 |
| FDC6506P | MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6 |
