WSR4N65F是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能音箱、 功放设备、 吉他效果器、 3D打印机、 电动自行车充电器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WSR4N65F
- 品牌：微硕(WINSOK)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子阅读器、 音响系统、 逆变器、 汽车、 电子广告牌、 OLED显示屏、 电子温度计、 专用集成电路（ASIC） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WSP4067B | MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V SOP8 |
| WSD2098DN | 2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9.7A P=1W 2通路 |
| WSP6946 | MOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6.5A RDS(ON)=52mΩ@10V SOP8_150MIL |
| WSP4606A | MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8 |
| WST3415 | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-3 |
| WSD3042DN56 | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=10.8mΩ@10V |
| WSP4882 | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=26mΩ@10V SOP8_150MIL |
| WST2005 | MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.6A |
| WST8205A | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：32mA 功率(Pd)：2.1W |
| WST2011 | MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A RDS(ON)=85mΩ@4.5V SOT23-6L |
