1N5819WS S4_JSMSEMI_杰盛微_SOD-323_肖特基二极管

Name: 1N5819WS S4_JSMSEMI_杰盛微_SOD-323_肖特基二极管
Brand: JSMSEMI

1N5819WS S4 型号参数

1N5819WS S4是品牌JSMSEMI杰盛微，研发制造的肖特基二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逆变器、交换机、实验室离心机、逻辑分析仪、台式电脑主机，肖特基二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

肖特基二极管可应用场景，如微波炉、烤箱、微处理器、万用表、网卡、电子游戏机手柄、路由器、 CT扫描仪等，想要了解更多肖特基二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SS34	封装:SMA(DO-214AC) 正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:3A 反向电流(Ir):500uA@40V
SS34	肖特基二极管直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：550mV@3A
SS14	封装:SMA(DO-214AC) 正向压降(Vf):550mV@1A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:1A 反向电流(Ir):500uA@40V
1N5819W	封装:SOD-123 二极管配置:独立式正向压降(Vf):600mV@200mA 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:350mA
1N5819WS S4	封装:SOD-323 二极管配置:独立式正向压降(Vf):600mV@200mA 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:350mA
NRVB130T1G	封装:SOD-123 正向压降(Vf):350mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:1A 反向电流(Ir):60uA@30V
BAT54C	封装:SOT-23 二极管配置:1对共阴极正向压降(Vf):1V@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:200mA
BAT54S	封装:SOT-23 二极管配置:1对串联式正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:200mA
BAT54C	2uA@25V 30V Dual Common Cathode 1V@100mA 200mA SOT-23 肖特基二极管

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