2N7002E_Slkor_萨科微_SOT-23_MOSFETs

2N7002E 型号参数

2N7002E是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 3D打印机、电子体重秤、智能家居控制器、 OLED显示屏、摄像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：2N7002E
品牌：萨科微(Slkor)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

型号	参数
SL3407	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
SL13N45F	MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
BSS138	SOT23 225mW
SL3401A	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA
SL2301	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
SL3406	N沟道功率MOSFET 30V 5.6A 21mΩ@10V,29A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
IRLML6401	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23
SL8205S	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V SOT23-6
SL2300	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
2SK3018W	N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA

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