2N7002E_Slkor_萨科微_SOT-23_MOSFETs

2N7002E 型号参数

2N7002E是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子胎心监测仪、信号发生器、摩托车、集成电路板、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：2N7002E
品牌：萨科微(Slkor)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

MOSFETs可应用场景，如录像机、电子脱毛器、电子广告牌、专用集成电路（ASIC）、触摸屏、人脸识别设备、电子体重秤、智能手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SL3401S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA
SL2302S	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL2300	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
SL3406	N沟道功率MOSFET 30V 5.6A 21mΩ@10V,29A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
SL3404	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5A Pd=1.4W SOT23
SL11P06D	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
2N7002E	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
SL2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
2SK3018	30V 100mA 7.5mΩ@10V,400mA 200mW 2V@100uA N Channel 50pF@25V +150℃@(Tj) SOT-23
SL2308	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：1.25W

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