BSN20_Slkor_萨科微_SOT-23_MOSFETs

BSN20 型号参数

BSN20是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电动车、电磁炉、触摸屏、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
2SK3018W	N沟道增强型场效应晶体管 SOT323 30V 300mA
SL2308	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：1.25W
SL2305	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL2302S	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL13N45F	MOS管 N-Channel VDS=450V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=490mΩ@10V TO220F
SL2300	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
SL2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
IRLML6401	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23
SL2310	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA
SL2312	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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