2N7002ET1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: 2N7002ET1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

2N7002ET1G 型号参数

2N7002ET1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如血糖仪、电子计算器、电饭煲、电子血压手环、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、电子咖啡机、电子胎心监测仪、显示器、电子体重秤、电子气压计、 MRI扫描仪、洗衣机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
FQB33N10TM	MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=33A RDS(ON)=52mΩ@10V TO263-2L
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA

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