FDV303N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDV303N 型号参数

FDV303N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、 X光机、电动车充电器、洗衣机、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3
FDC5614P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=105mΩ@10V TSOT23-6
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
2V7002KT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380mA RDS(ON)=2.5Ω@4.5V SOT23-3
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
NTD3055-094T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=94mΩ@10V TO252

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