NTD6416ANLT4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NTD6416ANLT4G_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: ON

NTD6416ANLT4G 型号参数

NTD6416ANLT4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、电子游戏机手柄、 OLED显示屏、液晶显示器、光纤连接器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子助听器、固态硬盘、交换机、电子游戏机手柄、 MP4播放器、安防摄像头、 MRI扫描仪、万用表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223
NTMFS5C430NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FDY3000NZ	VDS=20V ID=600mA PD=625mW 2 N-Channel SOT563 MOSFETs
FDC6305N	MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V

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