NVD5117PLT4G-VF01_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NVD5117PLT4G-VF01 型号参数

NVD5117PLT4G-VF01是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电子烤箱温度计、洗衣机、音频功率放大器、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
FDMS86163P	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=7.9A RDS(ON)=22mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
FDS6898A	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252

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