FDB088N08_ON_安森美_D²PAK_MOSFETs

FDB088N08 型号参数

FDB088N08是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逆变器、电子按摩器、吸尘器、智能安防摄像头、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
NTMFS5C612NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
BVSS84LT1G	MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN
FDS6690A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTR5105PT1G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=196mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FDS6679AZ	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=9.3mΩ@10V SOIC8_150MIL
FQL40N50	通孔 N 通道 500 V 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264-3
MGSF1N03LT1G	表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

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