NTMFS5C612NLT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子净水器、 心电图仪、 集成电路板、 电视机、 电子游戏机手柄 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NTMFS5C612NLT1G
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子灭蚊灯、 MP4播放器、 无线网卡、 电源供应器、 光纤连接器、 智能手环、 指纹识别器、 OLED显示屏 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FQB33N10TM | MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=33A RDS(ON)=52mΩ@10V TO263-2L |
| BS170 | MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel |
| NTS2101PT1G | MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±8V ID=1.4A RDS(ON)=100mΩ@4.5V SOT323 |
| FQT1N60CTF-WS | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223 |
| FQPF8N80C | 通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3 |
| FQPF4N90C | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F |
| NTK3134NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA |
| FDS6675BZ | 表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC |
| FDS6679AZ | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13A RDS(ON)=9.3mΩ@10V SOIC8_150MIL |
| FDT458P | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223 |
