3415E是品牌FM富满，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能手环、 平板电脑、 电子胎心监测仪、 智能照明系统、 遥控器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：3415E
- 品牌：富满(FM)
- 分类：MOSFETs
- 参数：9V P 沟道 MOS 场效应管
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 笔记本电脑、 电子体重秤、 智能安防摄像头、 热水器、 调音台、 吉他效果器、 汽车、 电子除湿机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| TC4953C | 20V P 沟道增强型MOS场效应管 |
| SC8205A | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A |
| 3401L | P 沟道增强型 MOS 场效应管 SOT23 VDS=18V ID=3.5A |
| 2301P | P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 |
| 2301A | 9V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
| 9926A | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W |
| 3415E | 9V P 沟道 MOS 场效应管 |
| 8205B | 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
| 2302B | 30V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
| TC2309 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V |
