8205B_FM_富满_SOT23-6_MOSFETs

Name: 8205B_FM_富满_SOT23-6_MOSFETs
Brand: FM

8205B 型号参数

8205B是品牌FM富满，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、电子咖啡机、 CT扫描仪、安防摄像头、可编程逻辑控制器（PLC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手机、红外感应器、射频连接器、显示器、网卡、整流器、投影仪、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
9926A	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W
2302B	30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
3415E	9V P 沟道 MOS 场效应管
TC2309	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V
.8205A	沟道增强型 MOS 场效应管 20V 6A 22mΩ@4.5V,4.5A 2W 1.5V@250uA 74.69pF@8V 2PCSNChannel(Common Drain) 522.3pF@8V 6.24nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-6
3401L	P 沟道增强型 MOS 场效应管 SOT23 VDS=18V ID=3.5A
2302P	N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
2301A	9V P 沟道增强型 MOS 场效应管
TC4953C	20V P 沟道增强型MOS场效应管
SC8205A	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A

型号相关

热门型号