AP30H50Q_ALLPOWER_铨力_PDFN8L_3X3MM_MOSFETs

Name: AP30H50Q_ALLPOWER_铨力_PDFN8L_3X3MM_MOSFETs
Brand: ALLPOWER

AP30H50Q 型号参数

AP30H50Q是品牌ALLPOWER铨力，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子厨房计时器、电子罗盘、电子翻译器、复印机、模拟信号处理器（ASP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如话筒（麦克风）、 RFID读写器、电子手表、逻辑分析仪、智能照明系统、电子加湿器、吸尘器、平板电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP90N03Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
AP2N7002	N沟道功率MOSFET SOT23 VDS=60V VGS=±20V ID=0.45A
AP4085G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：27.8W
AP90P03G	MOSFETs VDS=30V ID=90A PD=79W PDFN8L_5X6MM
AP4435C	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
AP15N10K	MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=100V VGS=±20V ID=14.6V
AP4616	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
AP2316	N沟道功率MOSFET SO23 VDS=30V VGS=±12V ID=4A
AP3003	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
AP2012	双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W

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