AP3N1R8MT_APEC_富鼎_PMPAK5X6_MOSFETs

Name: AP3N1R8MT_APEC_富鼎_PMPAK5X6_MOSFETs
Brand: APEC

AP3N1R8MT 型号参数

AP3N1R8MT是品牌APEC富鼎，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子计算器、机械硬盘、 OLED显示屏、电子血压手环、 LED显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、摄像头、网卡、无线网卡、音频信号处理器、智能门锁、电子温度计、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP10P500N	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W
AP9977GH	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252
AP2315GEN	P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A
AP2310GN	SOT23 1.38W
AP2306GN	N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23
AP2328GN-HF	N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A
AP83T03GH	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：60W
AP9997GK	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W
AP2301GN	p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23
AP3N1R8MT	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6

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