AP3N1R8MT_APEC_富鼎_PMPAK5X6_MOSFETs

Name: AP3N1R8MT_APEC_富鼎_PMPAK5X6_MOSFETs
Brand: APEC

AP3N1R8MT 型号参数

AP3N1R8MT是品牌APEC富鼎，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙耳机、电饭煲、安防摄像头、热水器、数字信号处理器（DSP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如路由器、电子驱蚊器、模拟信号处理器（ASP）、光纤连接器、摄像机、智能音箱、摄像头、射频连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AP15P10GH-HF	P通道增强模式
AP2328GN-HF	N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A
AP9575GH	MOSFETS P-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=15A RDS(ON)=120mΩ@4.5V TO252
AP3N1R8MT	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
AP9565BGH	P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：25W
AP95T07GP-HF	N沟道增强型功率MOSFET
AP83T03GH	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：60W
AP2301GN	p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23
AP10P500N	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W
AP2P053N	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W

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