BSC009NE2LS5IATMA1_Infineon_英飞凌_TDSON8_6.35X5.35MM_EP_MOSFETs

Name: BSC009NE2LS5IATMA1_Infineon_英飞凌_TDSON8_6.35X5.35MM_EP_MOSFETs
Brand: Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 型号参数

BSC009NE2LS5IATMA1是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、话筒（麦克风）、音频功率放大器、无人机、电子手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如专用集成电路（ASIC）、电子游戏机手柄、电源供应器、调制解调器、逆变器、吸尘器、 3D打印机、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFB4229PBF	MOSFETs 250V 330W DIP TO220AB 46A N-Channel
IPD038N06N3GATMA1	最佳3功率晶体管
BSS138N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=230mA RDS(ON)=6Ω@4.5V SOT23
IRFB7440PBF	通孔 N 通道 40 V 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
IRFB4110PBF	MOSFETs 100V 370W DIP TO220AB 180A N-Channel
IPP034N03LGXKSA1	通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
IRFR3806TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 43A（Tc） 71W（Tc） D-Pak
IRFR4104TRPBF	MOSFETs N-Channel VDS=40V ID=119A DPAK
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;
IRLL014NTRPBF	MOSFETs 55V 2.1W SMT SOT223 2.8A N-Channel

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