BSC010NE2LSATMA1_Infineon_英飞凌_DSON8_5.35X6.1MM_SM_MOSFETs

Name: BSC010NE2LSATMA1_Infineon_英飞凌_DSON8_5.35X6.1MM_SM_MOSFETs
Brand: Infineon

BSC010NE2LSATMA1 型号参数

BSC010NE2LSATMA1是品牌Infineon英飞凌，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、摩托车、电子手表、无线网卡、模拟信号处理器（ASP），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如整流器、网卡、移动硬盘、智能手环、功放器、微处理器、 3D打印机、电动自行车控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IPP034N03LGXKSA1	通孔 N 通道 30 V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
IRF7832TRPBF	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
SPW47N60C3	通孔 N 通道 650 V 47A（Tc） 415W（Tc） PG-TO247-3-1
IPA65R650CEXKSA1	MOSFETs 700V 86W DIP PGTO220FP 10.1A N-Channel
IRF2807PBF	MOSFETs 75V 230W DIP TO220AB 82A N-Channel
IRFP90N20DPBF	通孔 N 通道 200 V 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC
IRLR120NTRPBF	表面贴装型 N 通道 100 V 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
IRLB3034PBF	MOSFETs 40V 375W DIP TO220AB 195A N-Channel
IRFS3607TRLPBF	MOSFETs 75V 140W SMT TO263AB 80A N-Channel
IPP034NE7N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@155uA;

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