CSD88537ND_TI_德州仪器_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: CSD88537ND_TI_德州仪器_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: TI

CSD88537ND 型号参数

CSD88537ND是品牌TI德州仪器，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、摩托车、电子除螨仪、智能安防摄像头、无线网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音频线材、电动车、投影仪、可编程逻辑控制器（PLC）、人脸识别设备、音响设备、交换机、电子门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
CSD18510Q5B	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=300A P=156W VSON-CLIP8
CSD17308Q3T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=-8V,+10V ID=50A RDS(ON)=10.3mΩ@8V
CSD16301Q2	表面贴装型 N 通道 25 V 5A（Tc） 2.3W（Ta） 6-SON
CSD25481F4	表面贴装型 P 通道 20 V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
CSD17302Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=-8V,+10V ID=87A RDS(ON)=7.9mΩ@8V VSONP8
CSD18534Q5A	MOSFETs N-Channel VDDS=60V ID=13A,50A
CSD16410Q5A	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=-12V,+16V ID=59A RDS(ON)=8.5mΩ@10V VSONP8
CSD23381F4	PICOSTAR3_1X0.6MM 500mW
CSD87330Q3D	LSON-CLIP8
CSD13381F4	N沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：500mW

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