CSD88539ND_TI_德州仪器_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: CSD88539ND_TI_德州仪器_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: TI

CSD88539ND 型号参数

CSD88539ND是品牌TI德州仪器，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调音台、电子血压计、单片机、吉他效果器、电子温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如调音台、光纤连接器、笔记本电脑、示波器、摄像机、现场可编程门阵列（FPGA）、 LED照明灯、交换机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
CSD16410Q5A	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=-12V,+16V ID=59A RDS(ON)=8.5mΩ@10V VSONP8
CSD17575Q3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=108W VSON-CLIP8
CSD17577Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=53W VSONP_5X6MM
CSD18510Q5B	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=300A P=156W VSON-CLIP8
CSD18531Q5A	表面贴装型 N 通道 60 V 19A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
CSD75208W1015T	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=-6V ID=1.6A RDS(ON)=68mΩ@4.5V DSBGA6
CSD17501Q5A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=2.9mΩ@10V VSONP8
CSD13381F4	N沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：500mW
CSD19537Q3	表面贴装型 N 通道 100 V 50A（Ta） 2.8W（Ta），83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
CSD16570Q5B	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=590mΩ@10V

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