CY62167DV30LL-55BVXIT_Infineon__VFBGA48_静态随机存取存储器(SRAM)

Name: CY62167DV30LL-55BVXIT_Infineon__VFBGA48_静态随机存取存储器(SRAM)
Brand: Infineon

CY62167DV30LL-55BVXIT 型号参数

CY62167DV30LL-55BVXIT是品牌Infineon，研发制造的静态随机存取存储器(SRAM)产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、血糖仪、音响设备、移动硬盘、液晶显示器，静态随机存取存储器(SRAM)与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

静态随机存取存储器(SRAM)可应用场景，如电子门锁、专用集成电路（ASIC）、电子阅读器、电子助听器、蓝牙耳机、空调、显卡、电动车充电器等，想要了解更多静态随机存取存储器(SRAM)相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
CY62167DV30LL-55BVXIT	封装:VFBGA-48 存储容量:16Mbit 工作电压(Vcc):2.2V~3.6V 工作温度:-40℃~+85℃
CY62157EV30LL-45ZXIT	封装:TSOPI-48 接口类型:并口(Parallel) 存储容量:8Mbit 工作电压(Vcc):2.2V~3.6V 写周期时间(Tw):45ns
CY7C1021DV33-10ZSXIT	封装:TSOPII-44-10.2mm
CY14B101LA-SZ25XIT	封装:SOIC-32 接口类型:并口(Parallel) 存储容量:1Mbit 工作电压(Vcc):2.7V~3.6V 工作温度:-40℃~+85℃
CY62167DV30LL-55ZXIT	封装:TSOP-48 接口类型:并口(Parallel) 存储容量:16Mbit 工作电压(Vcc):2.2V~3.6V 写周期时间(Tw):55ns
CY7C1061GN30-10ZSXI	封装:TSOPII-54 接口类型:并口(Parallel) 存储容量:16Mbit 工作电压(Vcc):2.2V~3.6V 写周期时间(Tw):10ns
CY7C1041G30-10ZSXI	封装:TSOP-44 接口类型:并口(Parallel) 存储容量:4Mbit 工作电压(Vcc):1.65V~2.2V；2.2V~3.6V；4.5V~5.5V 写周期时间(Tw):10ns
CY7C1051DV33-10ZSXIT	封装:TSOPII-44-10.2mm 存储容量:8Mbit 工作电压(Vcc):3.3V 写周期时间(Tw):10ns 工作温度:-40℃~+85℃

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