ES2DB_晶导微电子__SMB_快恢复/高效率二极管

Name: ES2DB_晶导微电子__SMB_快恢复/高效率二极管
Brand: 晶导微电子

ES2DB 型号参数

ES2DB是品牌晶导微电子，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、打印机、复印机、蓝牙耳机、烟雾报警器，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子签到系统、投影仪、电子游戏机手柄、智能家居控制系统、电子血压计、摄像头、扫地机器人、吉他效果器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ES1JLWS	封装:SOD-323 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@500mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:500mA
ES1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES2DB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
ES2D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
ES1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.25V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES1JW	封装:SOD-123F 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
US1MW	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A

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