FDV303N_MSKSEMI_美森科_SOT-23_MOSFETs

Name: FDV303N_MSKSEMI_美森科_SOT-23_MOSFETs
Brand: MSKSEMI

FDV303N 型号参数

FDV303N是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、触摸屏、显卡、电子血压计、 GPS定位器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、电子按摩器、智能手环、指纹识别器、示波器、吸尘器、路由器、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SK3019-MS	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523
AO3401CI-MS	MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=3A Pd=350mW
AO3415AI-MS	P沟道 20V 4A
WPM2341-MS	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
WPM3407-MS	SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A
AO3400MI-MS	N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
FDC5614P	P沟道漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
2N7002W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
AO3402	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L

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