FU120N_VBsemi_微碧_TO-251_MOSFETs

FU120N 型号参数

FU120N是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、电子体温计探头、扬声器、汽车电子控制系统、无人机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252
NCE1540K-VB	MOSFETs N沟道 150V 15A TO252
VB4290	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
MEM2302	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
2SJ562	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
2V7002KT1G	MOSFETs N-Channel SOT23 60V 250mA
SI1304BDL	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
FDMS6681Z-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V DFN8_5X6MM_EP
SM2307PSAC-TRG-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V SOT-23
IRFS4620PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:200V 电流:40A TO-263

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