VB1102M_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: VB1102M_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

VB1102M 型号参数

VB1102M是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、稳压电源、逻辑分析仪、 GPS定位器、功放设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、电子烤箱温度计、摄像机、电子翻译器、 LED显示器、功放设备、电子榨汁机、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2305DS-T1-GE3-VB	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
VB7322	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
AO4606	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
FDV305N-NL-VB	MOSFETs N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
IRFS4620PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:200V 电流:40A TO-263
SI2300DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
BSN20	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
SI2302DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRFR024NTRPBF	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252AA
NTD6415ANLT4G-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:40A TO-252

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