SI2300DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

SI2300DS-T1-GE3 型号参数

SI2300DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、电子门锁、直流电源、智能手机、变压器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
VB2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±8V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
AOB428-VB	MOSFETs TO-263 N沟道 100V 70A
FDV305N-NL-VB	MOSFETs N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
IRFR3710ZTRPBF	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
IRFR3411TRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:40A TO-252
VBTA161K	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=2Ω@4.5V SC75A
IRFR48ZTRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:50A TO-252
IRLML2402TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRLML6402TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
NTGS3443T1G	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6

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