RFD16N05LSM9A-VB_VBsemi_微碧_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: RFD16N05LSM9A-VB_VBsemi_微碧_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: VBsemi

RFD16N05LSM9A-VB 型号参数

RFD16N05LSM9A-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、 X光机、电子血压计袖带、视频线材、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED显示器、气体报警器、 LCD显示屏、智能家居控制系统、电子门锁、机器人、网卡、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTGS3443T1G	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:4.8A SOT23-6
MEM2302	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
2SK3669-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:18A TO-252
AP2625GY	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6
IRFR3710ZTRPBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
VBE2412	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
AO7400-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
LR024N	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=16.9A RDS(ON)=83mΩ@4.5V TO252

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