SI2307DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2307DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2307DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2307DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子气压计、固态硬盘、电子烤箱温度计、 USB闪存盘、计算机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压计、汽车、音响设备、 GPS定位器、电子美容仪、智能门锁、手机充电器、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI1304BDL-VB	MOSFETs N沟道耐压:20V 电流:4A SC-70-3
CJ2312	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRLML5103GTRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:5.6A SOT-23
BSH103	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRLR7821TRPBF-VB
SSM3K333R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
SI2301DS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRFHM9331TRPBF	MOSFETs P沟道耐压:30V DFN8_3X3MM_EP
FDD13AN06A0-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:60A TO-252

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